Монтаж и сервис оборудования по использованию возобновляемых источников энергии - Юрий Степанович Почанин

Скачать книгу

со сложными технологическими процессами с участием больших количеств хлора и хлор водорода, ректификации трихлорсилана и восстановления кремния водородом.

      В настоящее время проводятся интенсивные разработки новых технологий производства Si, пригодного для изготовления солнечных элементов с высоким КПД. Можно выделить несколько основных направлений разработки методов.

      1. Пиролиз летучих соединений кремния. Высокочистый кремний получают моно-, ди-, три-, тетрахлорсилановым, методом алкоксисилановой технологии, дигалогенидным способом.

      2.«Сименс»-процесс – один из основных промышленных способов получения материала для ФЭП, предложенный фирмой «Siemens A. G.» и включающий в себя очистку Si путем перевода его в трихлорсилан с последующим водородным восстановлением с получением поликристаллического кремния.

      3. Высокочистый кремний можно получать путем его восстановления из тетра хлорида активным металлом (данный способ относится к одним из первых для получения кремния высокой чистоты). Способ основан на восстановлении чистого кремния с помощью активного металла при использовании в качестве исходного материала SiCl4 (в качестве восстановителя используют Zn).

      Однако предлагаемые технологии имеют ряд недостатков, поэтому развитие данного направления идет незначительными темпами.

      4.Метод получения материала для создания дешевых солнечных батарей – гидрогенизированные аморфные пленки кремния (Si:H), которые представляют собой сплав кремния с водородом, содержание последнего составляет 10–35 %.

      5. Карботермический способ получения кремня для ФЭП.

      6.Экстрагирование кремния из сплава. Этот способ представляет собой разделительное экстрагирование кремния из алюмокремниевого расплава. Он основан на том, что при охлаждении расплава первой выделяемой кристаллической фазой является высокочистый кремний. Более усовершенствованный метод предполагает использование в качестве анода сплава Cu-Si, а в качестве электролита – водный раствор H2SO4. После электролитического извлечения меди из оставшегося шлама выделялся чистый кремний (чистотой порядка 99,999–99,9999 %).

      7. Выращивание чистых кристаллов кремния из расплава. Для очистки полупроводниковых материалов в технологии солнечных преобразователей используется метод перекристаллизации. Применение метода нормальной направленной кристаллизации из расплава позволяет совмещать в одном технологическом цикле сразу три операции: очистку материала, легирование и выращивание из него мульти-, монокристалла .

      Исследования проводятся с целью заменить (или снизить стоимость единицы выпускаемой продукции) сложную и недешевую промышленную трихлорсилановую технологию более простой и недорогой, но достаточно эффективной технологией очистки для получения кремния «солнечного» качества. Для этого предлагаются процессы очистки не в газовой, а конденсированной фазе.

      Повышение КПД ФЭП – основная задача ученых,

Скачать книгу