LITMIR.BIZ

      Ферганский государственный университет

      Аннотация. В данной работе рассмотрено механизм изменения свойств Cu_2-xTe-CdTe солнечных элементов под действием термообработки. Установлено, что атомы меди из раствора CuCi в процессе создания гетероперехода химическим способом проникают в базовой слой CdTe по границам зерен через слой Cu_2-xTe. В процессе термообработки шунтирующие р-п-перехода атомы меди проникают в глубь базового слоя, образовав компенсирующие акценторные уровни в CdTe.

      Ключевые слова: термообработка, гетеропереход, атомы меди, объёмная заряд, туннелирования носителей заряда.

      Abstract. In this paper, the mechanism of Cu_2-xTe-CdTe solar cells properties change under the action of heat treatment is considered.It is found that copper atoms from CuCi solution during the process of heterojunction creation chemically penetrate into the CdTe base layer along the grain boundaries through the Cu_2-xTe layer. During the heat treatment process, the p-p junction shunting Cu atoms penetrate deep into the base layer to form compensating accentor levels in CdTe.

      Keywords: heat treatment, heterojunction, copper atoms, volume charge, charge carrier tunneling.

      Получено термическим испарением и химическим способом гетероструктуры на основы Cu_2-xTe-CdTe. Сразу же после получения гетероперехода базовый слой n-CdTe ещё недостаточно конденсирован медью, чем обусловлено узкая область объёмного заряда. Кроме того известно, что атомы меди из раствора CuCi в процессе создания гетероперехода химическим способом проникают в базовой слой CdTe по границам зерен через слой Cu_2-xTe. При внезапном прекращена химической реакции некоторая часть атомов меди, не связанных с CdTe, остаётся на границе раздела гетероперехода. Эти атомы меди образуют на границе раздела шунтирующие каналы. Узкая область объёмная заряда и наличия шунтирующих каналов на границе раздела дают возможность туннелирования носителей заряда через эти каналы. Туннельные токи через шунтирующие

Скачать книгу