Аннотация

Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники – биполярных и полевых транзисторов – в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм.

Аннотация

Пособие посвящено анализу нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектронике. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами активных областей. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм.

Аннотация

Рассмотрены физические явления на границе раздела полупроводник – диэлектрик и в контактах металл – полупроводник. Изложены физические принципы работы большинства известных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров. Уделено внимание гетеропереходам и приборам на их основе. Проанализирована работа транзисторных структур, использующих свойства двумерного электронного газа. Изучаемый курс завершает физическую подготовку бакалавров и инженеров в данном направлении; имеет как теоретическую, так и практико-ориентированную направленность, – является составной частью профессиональной подготовки.

Аннотация

27 – мой игровой номер. Уже и не вспомню, почему его взял. Он мне сразу чем-то понравился. Может, потому, что семерка – счастливое число, а 27 – это дважды семь. Этот номер все уже связывают со мной. И мне приятно так выделяться. Когда даю автограф болельщикам, ставлю рядом 27. Это число у меня на номере машины, среди цифр телефона, штамповано на клюшках. И поэтому я решил что в моей автобиографии должно быть 27 глав. Это словно мой публичный дневник. Когда-нибудь, ближе к ста годам, я сяду в кресле-качалке у камина, стану перелистывать свою жизнь по страницам. И удивлюсь: черт возьми, мне есть, что вспомнить!