Аннотация

Изложены основные понятия, относящиеся к науке о строении и свойствах сегнетоэлектрических материалов. Рассмотрены примеры применения и перспективы использования сегнетоэлектрических пленок в интегрированных устройствах современной микроэлектроники, а также основные тенденции развития материалов и технологий в этой области. Подробно рассмотрены вопросы формирования и визуализации структуры многослойных композиций на основе тонких пленок и границ раздела пленка – подложка на атомном уровне с помощью методов электронной микроскопии и моделирования изображений высокого разрешения, а также принципы создания наноструктур в пористых матрицах. Издание иллюстрирует возможности применения методов современного структурного анализа к исследованию и визуализации микро- и наносистем. Для магистрантов, обучающихся по направлению подготовки 22.04.01 «Материаловедение и технологии материалов». Пособие может быть полезно аспирантам, научным и инженерно-техническим работникам, специализирующимся в области материаловедения тонкопленочных материалов.

Аннотация

Рассмотрены методы построения стереографических проекций, решение базовых задач кристаллографического анализа структуры материалов с применением сетки Вульфа, а также описание структур металлов и их соединений в терминах теории плотнейших упаковок. Для студентов, изучающих дисциплины «Металлография», «Методы структурного анализа», «Современные методы исследования материалов», «Материалы микро- и наноэлектроники», «Микро- и наноструктурные материалы» и др.

Аннотация

Рассмотрены методы расчета основных характеристик точечных и линейных дефектов кристаллического строения металлов, дислокационные реакции для металлов с различными решетками, критерии их оценки, а также случаи взаимодействия точечных дефектов с дислокациями. Для студентов, изучающих дисциплины: «Металлография», «Материаловедение», «Методы структурного анализа», «Современные методы исследования материалов», «Материалы микро- и наноэлектроники», «Микро- и наноструктурные материалы» и др.