ТОП просматриваемых книг сайта:
МИСиС
Все книги издательства МИСиС
Аннотация
Рассматриваются производительные силы и производственные отношения, закономерности их развития, рыночные отношения, вопросы воспроизводства, государственного регулирования процесса производства и кредитно-финансовая система в современных условиях.
Аннотация
Сделана попытка совместить рассмотрение традиционных вопросов курса «Экономика производства» (продукция предприятия; основной и оборотный капитал; себестоимость; цена; прибыль; бухгалтерский баланс предприятия; пути снижения себестоимости; формирование ценовой политики; выбор инвестиций) с вопросами прикладной экономики и, прежде всего, ее основной дисциплины – «Финансовый менеджмент» (диагностика состояния предприятия; обеспеченность потребности в финансировании; кредитование; анализ и расчет денежных потоков прямым и косвенным методами, оптимизация портфеля ценных бумаг и др.). Показано применение математических моделей при решении задач обеспечения функционирования и развития предприятия.
Аннотация
В пособии излагаются теоретические основы технологических процессов роста полупроводниковых материалов и методы контроля в рамках курса «Основы технологии электронной компонентной базы». Пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению 11.04.04 – «Электроника и наноэлектроника» в качестве бакалавров, магистров и инженеров, и может быть полезно при выполнении лабораторных работ, подготовке магистерских диссертаций и дипломных работ.
Основы технологии электронной компонентной базы. Методы контроля характеристик материалов в технологических процессах получения тонкопленочных материалов - Дмитрий Крутогин
Аннотация
В лабораторном практикуме излагаются теоретические основы технологических процессов роста полупроводниковых материалов и методы контроля их электрофизических и структурных параметров. Материал практикума соответствует учебному плану курса «Основы технологии электронной компонентной базы».
Аннотация
Содержит описание трех практических занятий, в которых изучаются такие процессы создания приборных структур наноэлектроники, как термическое окисление, диффузия и ионная имплантация. Ставит перед собой задачи объяснить физическую сущность используемых в микро- и наноэлектронике технологических процессов, научить комплексному научному подходу к выбору методов и процессов формирования электронной компонентной базы, а также освоить методики расчета параметров технологических процессов. Результатом обучения должно быть приобретение компетенций по основным базовым процессам технологии для применения их в научных исследованиях, разработке и производстве изделий микро- и наноэлектроники.
Аннотация
Изложены основные принципы расчета технологических параметров прокатки на реверсивных станах; рассмотрены принципы построения схем обжатий, расчета скоростных режимов и энергосиловых параметров. Приведены геометрические соотношения и способы построения калибров для прокатки блюмов и крупных заготовок, а также варианты их монтажа (расположения) на валках реверсивных станов. На практическом примере рассмотрены различные схемы обжатий (прокатки), их преимущества и недостатки. Приведены примеры практического расчета скоростных режимов и энергосиловых параметров прокатки.
Аннотация
Рассмотрена кристаллизация двойных сплавов в системах с непрерывными твёрдыми и жидкими растворами, с эвтектическим и перитектическим превращениями, а также в сложной двойной системе с температурным минимумом, промежуточными фазами и с указанными превращениями кристаллизации. Приведены примеры происходящих процессов с подробными количественными расчётами, в которых необходимы знания аналитической геометрии и дифференциального анализа. Рассмотрена равновесная кристаллизация сплавов, определяемая диаграммами состояния двойных систем, а также неравновесная кристаллизация по модели Петрова–Шейля.
Аннотация
В лабораторном практикуме приведены сведения по геометрическим пострениям для выполнения чертежей в графическом редакторе AutoCAD. Показаны принципы разработки элементной базы, а также модернизации меню Автокада для создания специализированных меню, которые могут применяться в технологической подготовке механосборочного производства. Даны задания для самостоятельной работы студентов по разработке операционных эскизов механической обработки деталей.
Аннотация
Дана классификация рафинировочных процессов. Описаны методы рафинирования цветных металлов от неметаллических и металлических примесей. Приведены способы выражения чистоты металлов и содержания в них примесей.
Основы радиационных технологий. Расчет режимов ионной имплантации и профиля распределения имплантированных атомов примеси на примере изготовления кремниевых солнечных элементов n+–p–p+(p+–n–n+)-типа - Владимир Астахов
Аннотация
В методических указаниях рассматриваются принципы расчета режимов ионной имплантации при формировании структур n+–p–p+(p+–n–n+)-типа и профилей распределения имплантированной примеси. Излагается методика расчета в программе Math Cad 2001.